Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi Enstitüsü Enerji Teknolojisi Anabilim Dalı'ndan Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu'nun yürütücülüğünü üstlendiği "Yeni Nesil, Kurşunsuz Yüksek Performanslı FET'ler İçin Bizmut Tabanlı Yarı İletkenler" başlıklı proje, TÜBİTAK-ARDEB "1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı" tarafından desteklenmeye hak kazandı.
REKTÖR BUDAK'TAN TEBRİK ZİYARETİ
Ege Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Necdet Budak, proje yürütücüsü Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu'yu makamında ağırlayarak başarılarından dolayı tebrik etti. Prof. Dr. Budak, üniversitenin bilimsel ve teknolojik projelere verdiği desteği vurgulayarak, “Kurumsal akreditasyonu tamamlanmış ve ödüllü öğrenci odaklı araştırma üniversitemiz, bilimsel ve teknolojik projelere ulusal ve uluslararası destek sağlamaya devam ediyor. Araştırma geliştirme ve inovasyon alanında sunduğumuz imkanlar, proje hazırlama ve ticarileşme süreçlerini sürdürülebilir kılmakta. Projemizle üniversitemizi daha iyiye taşımak ve dünya çapında tanınan bir kurum olmak için çalışmaya devam edeceğiz. TÜBİTAK-ARDEB programı kapsamında desteklenen öğretim üyemizi tebrik ediyor, başarılarının devamını diliyorum” şeklinde konuştu.
ÇEVRE DOSTU YARI İLETKENLER
Dr. Adem Mutlu, projenin içeriği hakkında bilgi verirken, “Bu proje ile çevre dostu ve yüksek performanslı alan etkili transistörler (FET) üretmeyi amaçlıyoruz. Metil amonyum bizmut iyodür (MBI) ve gümüş bizmut iyodür (ABI) yarıiletkenleri üzerinde yoğunlaşıyoruz. Bizmut tabanlı bu yeni nesil yarıiletkenler, daha stabil ve toksik olmayan yapılarıyla kurşun bazlı malzemelere güçlü bir alternatif sunmaktadır” dedi.
YÜKSEK PERFORMANS HEDEFİ
Dr. Mutlu, projenin amacını ve hedeflerini açıklayarak, “MBI ve ABI ince filmleri kullanarak, çevre dostu çözücülerle üretilen yüksek performanslı transistörler geliştirmeyi hedefliyoruz. Bizmut tabanlı malzemelerin yüksek performanslı transistörler için güçlü bir aday olduğunu göstermek ve çevre dostu yeni malzeme uygulamalarının önünü açmak istiyoruz. Üreteceğimiz FET'lerin yüksek mobilite ve düşük histeresis özellikleri ile öne çıkmasını planlıyoruz” şeklinde konuştu.
ARAŞTIRMA YÖNTEMLERİ VE UYGULAMA SÜRECİ
Araştırmanın yöntemlerini anlatan Dr. Mutlu, “Proje, transistör uygulamaları için yeni nesil yarıiletken yapıların geliştirilmesine odaklanacak. Metilamin (MA) gazı kullanılarak MBI yapısı oluşturulacak ve farklı Ag/Bi molar oranlarıyla ABI yapılarına ulaşılacak. Bu yapılar, altlıklar üzerine kaplanarak FET üretiminde kullanılacak. Çözelti hazırlama, ince film kaplama, termal işlem ve elektriksel karakterizasyon yöntemleri detaylı olarak incelenecek. Elde edilen sonuçlar, bizmut tabanlı toksik olmayan malzemelerin ileri elektronik cihazlar için potansiyelini ortaya koyacaktır” dedi.
ELEKTRONİK DÜNYASINDA ÇEVRE DOSTU BİR DEVRİM
Son olarak, Dr. Mutlu projelerinin çevre dostu teknolojiler geliştirilmesine katkı sağlayacağını vurguladı: “MBI ve ABI yapıları, yeşil elektronik alanında önemli bir adım olacak. Bu transistörlerin yüksek yük taşıyıcı mobilite ve Ion/Ioff akım oranı ile yüksek performans sergilemesi beklenmektedir. Projemiz, bizmut tabanlı malzemelerin transistör uygulamalarındaki potansiyelini ortaya koyarak yeni nesil elektronik cihazların geliştirilmesine öncülük edecektir. Kurşunsuz ve toksik olmayan yarıiletkenlerin kullanımıyla, elektronik dünyasında yeni bir alan açılacaktır. Geleceğin daha temiz ve verimli elektronik dünyasına katkı sağlamayı hedefliyoruz.”
